RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2824
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link