RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
14.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3705
2824
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link