RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3209
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link