RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2936
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GAB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link