RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
3529
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link