RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
3437
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link