RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2058
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link