RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
1900
Wokół strony 5.58% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
1900
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2387
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link