RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
8500
1900
Wokół strony 4.47% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
1900
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2387
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link