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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比較する
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
45
周辺 33% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
8500
1900
周辺 4.47% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.7
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
6.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
45
読み出し速度、GB/s
10.6
11.7
書き込み速度、GB/秒
6.8
8.4
メモリ帯域幅、mbps
8500
1900
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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