Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 45

Intorno 33% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

8500 1900

Intorno 4.47% larghezza di banda superiore

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.7 10.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.4 6.8

Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Caratteristiche principali

Tipo di memoria

DDR3 DDR4
Latenza in PassMark, ns

30 45
Velocità di lettura, GB/s

10.6 11.7
Velocità di scrittura, GB/s

6.8 8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps

8500 1900

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1479 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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