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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
45
Por volta de 33% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
8500
1900
Por volta de 4.47% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
45
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
1900
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2387
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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