RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2532
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link