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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
43
读取速度,GB/s
12.4
11.4
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2532
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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