RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2591
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link