RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3693
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link