RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3693
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link