RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3693
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link