RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
10.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
3693
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link