RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2326
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link