RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2560
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link