RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2560
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link