RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
74
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
74
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1779
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link