RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
74
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1779
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link