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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
74
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
74
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1779
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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