RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2426
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link