RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2430
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link