RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2832
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link