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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
17.4
13.4
写入速度,GB/s
10.9
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2832
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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