RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3697
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link