RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
31
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
18
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3668
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link