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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
31
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
18
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
17.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2735
3668
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
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