RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link