RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2427
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link