RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
10.9
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2427
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link