RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
41
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1512
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link