G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.4 15.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.9 9.8

Średnia wartość w badaniach

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 31

Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

31 24
Prędkość odczytu, GB/s

17.4 15.5
Prędkość zapisu, GB/s

10.9 9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 19200

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2735 2509

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB