RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1997
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link