RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
53
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2301
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link