RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2078
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link