RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
56
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
56
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2200
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link