RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2283
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link