RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
17.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
58
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1998
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link