RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2618
2443
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link