RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
12.2
Скорость записи, Гб/сек
10.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2618
2443
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT51264BD160BJ.M8F 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link