RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2405
2665
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link