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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Compara
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2405
2665
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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