RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2644
3692
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link