RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
73
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
1724
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link