RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
23
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2581
3147
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link