RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
83
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
83
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1774
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link