RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
83
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
1774
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link